Doping - Semicondutores

A dopagem de semicondutores foi desenvolvida originalmente por John Robert Woodyard, a serviço da Sperry Gyroscope Company, durante a Segunda Guerra Mundial. Seu deslocamento para a área de radares impediu Woodyard de prosseguir na pesquisa de dopagem de semicondutores. Entretanto, após o fim da guerra, sua patente foi objeto de extenso litígio com Sperry Rand[2]. Um trabalho relacionado ao de Woodyard foi desenvolvido nos Laboratórios Bell por Gordon K. Teal e Morgan Sparks.

Dopagem eletrônica ou simplemente dopagem é a adição de impurezas químicas elementares (usualmente índio ou fósforo) em elemento químico semicondutor puro (ou o germânio ou o silício, notadamente este último, atualmente), com a finalidade de dotá-los de propriedades de semicondução controlada específica (presença majoritária de portadores de carga ou tipo P, as lacunas, ou tipo N, os elétrons, respectivamente para as adições de índio e de fósforo), para aplicação em dispositivos eletrônicos elementares de circuitos.

O silício é um elemento muito comum: ele é o principal elemento na areia e no quartzo, por exemplo.


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• Como ocorre a dopagem em semicondutores?

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